Несколько дней назад компания Qualcomm анонсировала новую флагманскую однокристальную систему Snapdragon 835, которая будет поддерживать технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0.
Если верить последним слухам, Snapdragon 835 (MSM 8998) будет серьезно отличаться от предшественников и получит обновленные ядра Kyro 200 в конфигурации 4+4. Это значит, что новая SoC будет оснащаться не 4-, а 8-ядерным процессором. В качестве графической подсистемы чипсета будет выступать новый производительный ускоритель Adreno 540.
Snapdragon 835 получит поддержку 4-канальной оперативной памяти LPDDR4X-1866 и флеш-памяти UFS 2.1. Новый чипсет будет оснащен модемом LTE X16 с поддержкой сетей LTE Cat.16 со скоростью загрузки до 1 Гбит/с. Snapdragon 835 будет построен на 10-нм техпроцессе FinFet и дебютирует в первом квартале 2017 года, а первым смартфоном на его основе станет Samsung Galaxy S8, анонс которого пройдет на MWC 2017.
Кроме Snapdragon 835 в сеть утекли также характеристики менее производительной платформы Qualcomm Snapdragon 660, которая выполнена на 14-нм техпроцессе FinFet LPP и оснащается 8-ядерным процессором с максимальной частотой 2,2 ГГц. В этой SoC используются графический ускоритель Adreno 512 и модем X10. Она поддерживает 2-канальную ОЗУ LPDDR4X-1866 и флеш-память UFS 2.1. Производство платформы начнется во втором квартале 2017 года.
