Ученые сделали шаг к устройствам памяти следующего поколения

Некоторое время назад ученым удалось получить сверхмалые магниты размером 3-7 нм. Благодаря своим малым габаритам и высокой термической стабильности, а также простому процессу самоорганизации, который используется при их изготовлении, эти наномагниты стали важным шагом в направлении создания устройств памяти следующего поколения с ультравысокой плотностью, стабильностью и низким энергопотреблением.

Исследователи, Дженмин Хонг (Jeongmin Hong) и Лонг Ю (Long You) из Университета науки и технологии Huazhong вместе с К. Донгом (K. Dong) из Китайского университета геонаук и Джеффри Бокором (Jeffrey Bokor ) из Калифорнийского университета в Беркли, опубликовали статью о новых ячейках памяти в недавнем выпуске «Письма по прикладной физике».

Предыдущие исследование уже демонстрировали нечто похожее, однако методы получения таких структур были весьма сложными и дорогими. К примеру, для получения требуемого рисунка структуры применяли электронно-лучевую литографию с последующим сложным получением структуры ионным пучком или реактивным ионным травлением. А в новом исследовании наномагниты просто распыляют магнитроном, а так как они самоорганизовываются, то не требуется каких-либо процессов наноструктурирования.

Наномагниты состоят из железоплатиновых зерен со средним диаметром 5 нм. Каждый из них имеет два направления намагничивания, которые определяются ориентациями наномагнитов в пространстве. Два направления намагничивания соответствуют двум состояниям (параллельным и антипараллельным) магнитного туннельного перехода, который образует основной строительный блок энергонезависимой ячейки памяти.  

Обладая высокой термостабильностью, эти наномагниты могут хранить данные более чем 10 лет.

Для справки: заявленный срок хранения на обесточенном SSD составляет два года при температуре 25°C, а с повышением температуры на 5°C срок хранения уменьшается наполовину.