Samsung розробив DRAM-модуль зі швидкістю передачі даних 51,2 ГБ/с

Поки весь мобільний світ все ще готується до майбутньої революції 5G, компанія Samsung успішно розробила перший у світі 8 ГБ LPDDR5 DRAM-модуль. До цього їм належали лаври першості з LPDDR4 об’ємом 8 ГБ.

У 2014 році вони першими запровадили в масове виробництво цей чіп і тепер намагаються повторити успіх чотирирічної давнини й знову зірвати куш.

Новий модуль працює в 1,5 рази швидше, ніж нині існуючі DRAM, що використовуються у висококласних смартфонах. Він має швидкість передачі даних 6400 Мбіт/с, тоді як останні мають швидкість 4266 МБ/с. Що приводить нас до результату високошвидкісної передачі даних, що досягають 51,2 ГБ/с. Підвищення продуктивності було досягнуто завдяки різним архітектурним змінам. Samsung подвоїв підрозділи всередині комірки пам’яті DRAM з 8 до 19, отже, не тільки збільшуючи швидкість, а й енергоефективність.

З метою економії енергії чіп був запрограмований для спільної роботи з прикладним процесором, який, знижуючи напругу живлення, коли це необхідно, і економить енергію. Він також має функцію глибокого сплячого режиму, який ефективніший, ніж «режим очікування» на поточній DRAM-карті LPDDR4X. Це дозволяє економити до 30% електроенергії, що в кінцевому результаті впливає на термін служби.

10-нм модуль LPDDR5 DRAM поставляється у двох діапазонах: 6400 Мбіт/с при робочій напрузі 1,1 В і 5500 Мбіт/с при робочій напрузі 1,05 В. Чіп буде UHD сумісним для мобільних пристроїв по всьому світу. Масове виробництво чіпів, як очікується, почнеться найближчим часом на підприємстві компанії Samsung у Pyeongtaek, Південна Корея.