Компанія Samsung Electronics, світовий лідер в області передових напівпровідникових технологій, заявила про початок масового виробництва продуктів System-on-Chip (SoC), побудованих на 10 нм технології FinFET другого покоління, 10LPP (Low Power Плюс).
За заявою компанії чіпи, побудовані за новою технологією, матимуть приріст продуктивності в 10% та, як це не парадоксально, 15% енергозбереження у порівнянні з 10-нанометровими чіпами першого покоління LPE (Low Power Early).
Оскільки процес заснований на перевіреній технології 10 LPE, це скоротить час «обкатування» новинки й забезпечить більш високу продуктивність на початкових етапах виробництва.
Нові чіпи, судячи з усього, будуть використовуватися в чіпсетах наступного покоління Qualcomm (за чутками, це Snapdragon 845).
І, звичайно ж, Samsung Galaxy S9 та S9 +.
«Ми зможемо краще обслуговувати наших клієнтів за допомогою переходу від 10LPE до 10LPP з поліпшеною продуктивністю й більш високим початковим виходом продукції», – сказав Райан Лі, віце-президент з маркетингу ливарного виробництва в Samsung Electronics. «Samsung зі своєю 10-нм технологічною стратегією, яка довго живе, продовжить роботу над еволюцією технології 10 нм до 8LPP, щоб дати клієнтам особливі конкурентоспроможні пропозиції для широкого спектру застосування».
А ось компанія Intel, яку нещодавно скинули з Олімпу (з виробництва чіпів), вже щосили хвалиться, що її 10 нм технологія Cannon Lake на покоління вперед обжене її основних конкурентів – Samsung та TSMC. Ну що ж, поживемо – побачимо. Усі нові чіпи ми будемо щасливі бачити в наступаючому 2018 році. І хто кого обжене, теж побачимо.
Джерело: news.samsung.com
