Samsung разработал DRAM-модуль со скоростью передачи данных 51,2 ГБ/с

Пока весь мобильный мир все еще готовится к будущей революции 5G, компания Samsung успешно разработала первый в мире 8 ГБ LPDDR5 DRAM-модуль. До этого им принадлежали лавры первенства с LPDDR4 объемом 8 ГБ.

В 2014 году они первыми внедрили в массовое производство этот чип и теперь пытаются повторить успех четырехлетней давности и вновь сорвать куш.

Новый модуль работает в 1,5 раза быстрее, чем ныне существующие DRAM, используемые в высококлассных смартфонах. Он имеет скорость передачи данных 6400 Мбит/с, тогда как последние имеют скорость 4266 МБ/с. Что приводит нас к результату высокоскоростной передачи данных, достигающих 51,2 ГБ/с. Повышение производительности было достигнуто благодаря различным архитектурным изменениям. Samsung удвоил подразделения внутри ячейки памяти DRAM с 8 до 19, следовательно, не только увеличивая скорость, но и энергоэффективность.

С целью экономии энергии чип был запрограммирован для совместной работы с прикладным процессором, который, снижая напряжение питания, когда это необходимо, и экономит энергию. Он также имеет функцию глубокого спящего режима, который более эффективен, чем «режим ожидания» на текущей DRAM-карте LPDDR4X. Это позволяет экономить до 30% электроэнергии, что в конечном результате влияет на срок службы.

10-нм модуль LPDDR5 DRAM поставляется в двух диапазонах: 6400 Мбит/с при рабочем напряжении 1,1 В и 5500 Мбит/с при рабочем напряжении 1,05 В. Чип будет UHD совместимым для мобильных устройств по всему миру. Массовое производство чипов, как ожидается, начнется в ближайшее время на предприятии компании Samsung в Pyeongtaek, Южная Корея.