Qualcomm представит новый флагманский чип Snapdragon 835 с Quick Charge 4.0 в 2017 году

Компания Qualcomm заявила, что следующий флагманский SoC для Android-устройств будет называться Snapdragon 835 и будет производиться Samsung на базе 10nm FinFET. Новый чип заменит в будущем году Snapdragon 820 и Snapdragon 821, а первые устройства на основе нового чипсета, скорее всего, дебютируют во время следующей ежегодной выставки Mobile World Congress в феврале 2017 года.

Подробности характеристик нового Snapdragon 835 пока скудные. Компания Qualcomm только объявила, что производство уже началось. Сегодняшняя новость по большей заключается в о том, что Samsung будет выпускать чип, который усилит партнерские отношения между двумя компаниями, несмотря на то, что они конкурируют в некоторых сферах. В первую очередь, Samsung также производит свою собственную линию ARM на базе Exynos SoCs.

Новый чипсет должен привести к снижению потребляемой мощности, повышению эффективности батареи и обеспечить более высокую производительность. Qualcomm утверждает, что Snapdragon 835 сможет увеличить производительность до 27% и уменьшить потребление энергии на 40% по сравнению с предыдущим поколением 14nm Snapdragon 820 и 821.

Зато компания более подробно представила новую функцию Quick Charge 4.0, которая будет поддерживаться в Snapdragon 835. Quick Charge 4.0 улучшила свои показатели по сравнению с предшественниками, позволяя устройствам заряжаться быстрее и более эффективно.

Компания предполагает, что пятиминутной зарядки будет достаточно, чтобы дать устройству работу на 4-5 часов, и что батарея среднестатистического девайса сможет заряжаться до 50 процентов в течение 15 минут.

По сравнению с Quick Charge 3.0, Qualcomm прогнозирует увеличение скорости зарядки на 20% и увеличение эффективности до 30%. Кроме того, предполагается полная совместимость со стандартом зарядки USB Type-C, что должно улучшить взаимодействие между устройствами и зарядными устройствами, поставляемыми различными производителями.