Компания Samsung продемонстрировала на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) SSD-накопитель вместимостью 32 ТБ. Устройство выполнено на основе 512-Гбит флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвертого поколения.
Благодаря технологии V-NAND кристаллы флеш-памяти скомпонованы по вертикали: это позволяет получить трехмерную структуру микрочипа, а также в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоев.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма, а для его подключения используется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS).
Планируя поездку, важно заранее определить, что взять с собой на природу, чтобы не зависеть от розетки. Современные туристические гаджеты делают…
Уход за садом и огородом требует времени, регулярности и специальных приспособлений для полива и орошения. Чтобы сэкономить время и силы,…
Операционная система Xiaomi HyperOS объединяет смартфоны, смарт-технику и электромобили бренда Xiaomi в единую интеллектуальную сеть. Платформа основана на концепции «Человек…
Перенести данные с Android на iPhone помогут официальные инструменты миграции и облачные сервисы. Ваши контакты, календарь и фотографии можно перенести…
Выбор между феном и стайлером Dyson — частая дилемма для покупателей, ведь оба устройства выглядят современно и обещают бережный уход…
В этой статье мы сравниваем iPhone 17e и iPhone 17: что у них общего и в чем ключевые различия —…