Компания Samsung продемонстрировала на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) SSD-накопитель вместимостью 32 ТБ. Устройство выполнено на основе 512-Гбит флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвертого поколения.
Благодаря технологии V-NAND кристаллы флеш-памяти скомпонованы по вертикали: это позволяет получить трехмерную структуру микрочипа, а также в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоев.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма, а для его подключения используется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS).
Xiaomi SU7 разгоняется до 100 км/ч за 1.98 секунды в топовой версии Ultra — быстрее Porsche 911 Turbo S. Первый…
38 триллионов операций в секунду — именно такой барьер преодолевал предыдущий чип M4, но новый процессор M5 в iPad Pro…
Тридцать процентов прироста графической производительности и полные сутки автономной работы — именно эти цифры заставили нас пересмотреть свое отношение к…
В 2025 году компания Samsung окончательно зафиксировала курс на стирание границы производительности между компактными и большими смартфонами, предоставив пользователям идентичную…
Смартфоны лондонского технологического бренда с 2020 года уверенно завоевывают рынок — характеристики Nothing Phone во многом уникальны, что привлекает пользователей,…
Правильно выбрать повербанк для роутера — ответственная задача в условиях регулярных блэкаутов. Качественное устройство поможет всегда оставаться онлайн. Важно купить…