Компания Samsung продемонстрировала на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) SSD-накопитель вместимостью 32 ТБ. Устройство выполнено на основе 512-Гбит флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвертого поколения.
Благодаря технологии V-NAND кристаллы флеш-памяти скомпонованы по вертикали: это позволяет получить трехмерную структуру микрочипа, а также в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоев.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма, а для его подключения используется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS).
Выбор между двумя крутыми флагманами — это сложный компромисс, однако дело, как всегда, в деталях. Смартфоны Pixel известны передовыми камерами,…
Вот наконец-то нашёлся свободный вечер, вы удобно расположились на диване и готовы отдохнуть, но потом часами листаете ленты киносервисов и…
Выпрямитель для волос позволяет ежедневно создавать безупречную укладку. Со множеством моделей, оснащенных различными функциями, иногда сложно определиться. В нашем обзоре…
Группа компаний «Алло» открыла первый в Украине официальный шоурум бренда бытовой техники Roborock. По данным международной исследовательско-консалтинговой компании IDC за…
Выбрать лучший игровой ноутбук в 2025 году — задача не из простых. Рынок заполнен десятками моделей, отличающихся по процессорам, видеокартам,…
Для современных пользователей беспроводные наушники стали незаменимым аксессуаром, поэтому рынок предлагает огромный выбор моделей для широкого круга пользователей. Они отличаются…