Компания Samsung продемонстрировала на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) SSD-накопитель вместимостью 32 ТБ. Устройство выполнено на основе 512-Гбит флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвертого поколения.
Благодаря технологии V-NAND кристаллы флеш-памяти скомпонованы по вертикали: это позволяет получить трехмерную структуру микрочипа, а также в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоев.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма, а для его подключения используется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS).
Потеря 40–60% запаса хода зимой электромобилем — такой показатель может отпугнуть любого потенциального владельца. Зимние условия действительно бросают вызов технологиям,…
Из-за того что с 1 января 2026 года покупка нового электрокара в Украине может подорожать на 20%, многие пользователи интересуются,…
Ищете, какая пароварка лучше, чтобы готовила без масла и действительно экономила время и нервы? Потому что после рабочего дня хочется…
Чтобы определить ключевые критерии, как выбрать телевизор, нужно понимать, что их параметры взаимосвязаны и должны работать в комплексе. В противном…
Как выбрать искусственную елку так, чтобы она выглядела натурально, служила годами и действительно создавала праздничное настроение? Хочется один раз найти…
В 2025 году Apple iOS 26 стала первой унифицированной под календарь версией ОС, что обозначило резкое изменение подхода к интерфейсу…