Компания Samsung Electronics начинает выпуск чипов на 10 нм технологии FinFET

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, заявила о начале массового производства продуктов System-on-Chip (SoC), построенных на 10 нм технологии FinFET второго поколения, 10LPP (Low Power Плюс).

По заявлению компании чипы, построенные по новой технологии, будут иметь прирост производительности в 10% и, как это ни парадоксально, 15% энергосбережения по сравнению с 10-нанометровыми чипами первого поколения LPE (Low Power Early).

Поскольку процесс основан на проверенной технологии 10 LPE, это сократит время «обкатки» новинки и обеспечит более высокую производительность на начальных этапах производства.

Новые чипы, судя по всему, будут использоваться в чипсетах следующего поколения Qualcomm (по слухам, это Snapdragon 845). Ну и, конечно же, Samsung Galaxy S9 и S9+.

«Мы сможем лучше обслуживать наших клиентов посредством перехода от 10LPE до 10LPP с улучшенной производительностью и более высоким начальным выходом продукции», — сказал Райан Ли, вице-президент по маркетингу литейного производства в Samsung Electronics. «Samsung со своей долго живущей 10-нм технологической стратегией продолжит работу над эволюцией технологии 10 нм до 8LPP, чтобы дать клиентам особые конкурентоспособные предложения для широкого спектра применения».

А вот компания Intel, которую недавно скинули с Олимпа (по производству чипов), уже вовсю хвастается, что ее 10-нанометровая технология Cannon Lake на поколение вперед обгонит ее основных конкурентов — Samsung и TSMC. Ну что ж,  поживем — увидим. Все новые чипы мы будем счастливы лицезреть в наступающем 2018 году. И кто кого обгонит, тоже увидим.