Компания Qualcomm в ноябре объявила о выпуске Snapdragon 835, своего новейшего флагманского SoC для мобильных устройств. Чипсет будет изготовлен Samsung по технологии 10nm. Во время анонса новинки Qualcomm не вдавалась в подробности, сделав ставку на масштабную презентацию во время проведения CES 2017, что подтвердилось последним сообщением от компании в Twitter.
Компания проведет мероприятие 3 января на выставке CES 2017, где, по логике, и можно ожидать презентацию нового чипсета. Из того, что известно нам, Snapdragon 835 SoC будет базироваться на новой технологии 10nm, которая, по сравнению с Snapdragon 820 и 821 на 14nm, снизит энергопотребление до 40% и увеличит производительность до 27%.
Snapdragon 835 также поддерживает новую функцию быстрой зарядки Quick Charge 4.0, которая обеспечит до 5 часов автономной работы всего за 5 минут зарядки. Компания также предполагает, что среднестатистический аккумулятор смартфона зарядится за 15 минут до 50%. Также есть предположения, что новый чип будет оснащен восьмиядерным процессором с частотой 2,2 ГГц.
GPU Adreno 540 будет примерно на 30% быстрее своего предшественника Adreno 530 в Snapdragon 821. Тем не менее, тактовая частота и GPU еще должны быть подтверждены компанией Qualcomm во время официальной презентации.
Предстоящие флагманы Samsung Galaxy S8 и LG G6, вероятно, будут первыми гаджетами на основе новейшего SoC Qualcomm в 2017. В течении нескольких дней мы уже наверняка будем знать, чего следует ожидать от чипсета Snapdragon 835 и какие флагманские Android-устройства будут выпущены на его основе.
