Компания Samsung продемонстрировала на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) SSD-накопитель вместимостью 32 ТБ. Устройство выполнено на основе 512-Гбит флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвертого поколения.
Благодаря технологии V-NAND кристаллы флеш-памяти скомпонованы по вертикали: это позволяет получить трехмерную структуру микрочипа, а также в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоев.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма, а для его подключения используется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS).
